據(jù)BusinessKorea報(bào)道，三星電子副董事長(zhǎng)李在镕于6月中旬結(jié)束了對(duì)歐洲的商務(wù)訪問(wèn)在此期間，他與ASML就引進(jìn)荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商的下一代極紫外光刻設(shè)備進(jìn)行了會(huì)談

報(bào)道稱，李在镕6月14日在荷蘭ASML總部會(huì)見了ASML首席執(zhí)行官彼得·文寧克和首席技術(shù)官馬丁·范登·布林克，就引進(jìn)今年生產(chǎn)的EUV光刻設(shè)備和計(jì)劃明年推出的高數(shù)值孔徑EUV光刻設(shè)備達(dá)成了協(xié)議。

高NA EUV是下一代光刻設(shè)備，與現(xiàn)有的EUV光刻設(shè)備相比，可以雕刻更精細(xì)的電路被認(rèn)為是改變游戲規(guī)則的設(shè)備，將決定3 nm以下OEM市場(chǎng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的勝負(fù)

本站了解到，高NA EUV光刻設(shè)備的單價(jià)估計(jì)為5000億韓元，是現(xiàn)有EUV光刻設(shè)備的兩倍。

今年早些時(shí)候，英特爾宣布，它已經(jīng)簽署了一份合同，購(gòu)買5臺(tái)這種設(shè)備，用于2025年生產(chǎn)1.8納米芯片TSMC 6月16日在美國(guó)硅谷技術(shù)研討會(huì)上也表示，將于2024年在全球首次將高NA EUV光刻設(shè)備引入其工藝

在這場(chǎng)下一代EUV光刻設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子還尋求獲得最新的EUV設(shè)備李在镕此次歐洲之行主要是為了確保獲得下一代高NA EUV光刻設(shè)備和目前正在生產(chǎn)的最新一代設(shè)備ASML今年只能生產(chǎn)50臺(tái)EUV設(shè)備，交貨期為一年到一年零六個(gè)月該公司有限的產(chǎn)能和較長(zhǎng)的交貨時(shí)間導(dǎo)致了高NA EUV光刻設(shè)備的預(yù)購(gòu)競(jìng)爭(zhēng)

三星電子將高NA EUV光刻設(shè)備實(shí)際應(yīng)用于其半導(dǎo)體工藝的確切時(shí)間尚未確定可是，考慮到交付時(shí)間，預(yù)計(jì)三星電子將在2024年實(shí)際使用高NA EUV光刻設(shè)備

一些行業(yè)觀察人士呼吁韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體設(shè)施的投資給予更多支持據(jù)報(bào)道，三星電子已經(jīng)獲得了今年計(jì)劃生產(chǎn)的55臺(tái)EUV光刻設(shè)備中的18臺(tái)這意味著該公司僅在EUV光刻設(shè)備上的投資就將超過(guò)4萬(wàn)億韓元

如果三星購(gòu)買10臺(tái)高NA EUV光刻設(shè)備，公司將花費(fèi)超過(guò)5萬(wàn)億韓元，一位業(yè)內(nèi)人士表示有必要擴(kuò)大政府支持，以提高韓國(guó)的國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力