昨晚，美光宣布全球首款232層NAND已在公司新加坡工廠量產(chǎn)，并將通過至關(guān)重要的英瑞達(dá)SSD消費(fèi)產(chǎn)品線，在初期以封裝顆粒的形式交付給客戶。

現(xiàn)在，美光發(fā)表了一篇文章，介紹了232層NAND的相關(guān)技術(shù)。

官方表示，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了當(dāng)今業(yè)界最快的NAND I/O速度:2.4 GB/s，比美光176層工藝節(jié)點(diǎn)提供的最高接口數(shù)據(jù)傳輸速度快50%與上一代產(chǎn)品相比，美光的232層NAND每芯片寫帶寬提升100%，讀帶寬提升75%

此外，美光的232層NAND引入了全球首款六平面TLC生產(chǎn)NAND，是所有TLC閃存中每芯片平面數(shù)量最多的產(chǎn)品，每個平面都具有獨(dú)立的讀取能力。

32層NAND精致的外形不僅給了客戶設(shè)計上的靈活性，還實(shí)現(xiàn)了有史以來最高的TLC密度，其單位存儲密度比目前市面上的TLC競品高出35%至100%32層NAND，新封裝尺寸比前幾代Micron產(chǎn)品小28%11.5mm x 13.5mm的封裝使其成為目前最小的高密度NAND在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的容量，也有助于大大減少應(yīng)用時占用的主板空間

美光的232層NAND也是第一款量產(chǎn)支持NV—LPDDR4的產(chǎn)品與過去的I/O接口相比，這種低壓接口每比特傳輸可節(jié)省30%以上

美光表示，232層NAND的突破性功能將幫助客戶在數(shù)據(jù)中心，更薄的筆記本電腦，最新的移動設(shè)備以及整個智能邊緣領(lǐng)域提供更多創(chuàng)新的解決方案。