日前，SK海力士宣布成功研發(fā)出全球首款238層NAND閃存，擁有業(yè)界最高的層數(shù)。

最近幾天，SK海力士向客戶發(fā)送了238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，并計劃于2023年上半年正式投入量產(chǎn)該公司表示:自2020年12月完成176層NAND閃存的研發(fā)以來，僅用了一年零七個月，SK海力士就在全球首次成功完成了新一代技術(shù)的研發(fā)238層NAND閃存在達到業(yè)界最高堆數(shù)的同時，實現(xiàn)了世界上最小的面積，意義更加非凡

當(dāng)天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會上首次亮相，展示了全新的238層NAND閃存在峰會主題演講中，SK海力士NAND閃存開發(fā)負(fù)責(zé)人崔表示:基于其4D NAND閃存技術(shù)，SK海力士在全球首次成功開發(fā)出238層NAND閃存，從而確保了在成本，性能和產(chǎn)品質(zhì)量方面的全球領(lǐng)先競爭力公司會不斷創(chuàng)新，不斷突破技術(shù)瓶頸

SK海力士在2018年開發(fā)的96層NAND閃存超越了傳統(tǒng)的3D模式，引入了4D模式為了成功開發(fā)具有4D架構(gòu)的芯片，該公司采用了電荷俘獲技術(shù)和PUC技術(shù)與3D模式相比，4D建筑具有單位面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)勢

38層NAND閃存成功堆疊更多層，同時實現(xiàn)了業(yè)界最小的面積新產(chǎn)品的單位面積密度更高，以其更小的面積在相同尺寸的硅片上可以生產(chǎn)更多的芯片，因此其生產(chǎn)效率也比176層NAND閃存提高了34%

此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，比上一代提升了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能耗也降低了21%可以說SK海力士通過節(jié)省芯片功耗，在ESG方面取得了顯著進步

SK海力士計劃先為cSSD供應(yīng)238層NAND閃存，然后逐步將進口范圍擴大到智能手機和大容量服務(wù)器SSD該公司還將于明年發(fā)布1Tb密度的238層NAND閃存新產(chǎn)品，密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍