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北京田可何達(dá)半導(dǎo)體公司最近發(fā)布了新產(chǎn)品8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底公司介紹了新產(chǎn)品8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，并宣布將于2023年實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底的小規(guī)模量產(chǎn)

本站了解到，2021年，徐州田可何達(dá)生產(chǎn)基地6英寸系列產(chǎn)品產(chǎn)能達(dá)到全國(guó)第一，目前北京大興總部基地6英寸產(chǎn)能正在不斷突破。

天合光能是中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，一直在不斷突破制備更大尺寸，更高質(zhì)量碳化硅襯底的關(guān)鍵核心技術(shù)。

指標(biāo)公布如下:

8英寸碳化硅晶體和晶片外觀圖

拉曼光譜數(shù)據(jù)顯示，8英寸碳化硅襯底100%面積是4H晶體。

XRD三點(diǎn)搖擺曲線數(shù)據(jù)顯示半峰全寬小于20弧秒。

位錯(cuò)密度測(cè)試結(jié)果顯示，EPD < 4，000平方厘米，TSD < 100/平方厘米，BPD < 200/平方厘米，位錯(cuò)密度整體處于國(guó)際領(lǐng)先水平。