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英特爾介紹Intel4工藝:2倍密度,性能提升超20%

時間:2022-12-25 13:47   閱讀量:11293   

據(jù)AnandTech報道,英特爾現(xiàn)在已經(jīng)分享了一些關(guān)于其下一代英特爾4技術(shù)的消息。

據(jù)報道,這一工藝將用于2023年發(fā)布的產(chǎn)品中,是英特爾首次采用EUV的工藝。

英特爾將首先用于即將推出的流星湖處理器,該處理器將屬于英特爾第14代酷睿家族除了工藝技術(shù)上的重大進(jìn)步,流星湖還將成為英特爾首款基于tile/chiplet的客戶端CPU,采用I/O核,CPU核,GPU核等tile模塊

根據(jù)英特爾公布的數(shù)據(jù),Intel 4的鰭間距降至30 nm,是Intel 7的34 nm間距的0.88倍同樣,接觸柵之間的間距現(xiàn)在是50nm,低于以前的60nm英特爾聲稱,Intel4的密度是Intel7的兩倍,或者更具體地說,晶體管的尺寸縮小了一半

此外,新工藝對金屬層做了重大改變英特爾在其英特爾7工藝的底部用鈷取代了銅,該公司認(rèn)為鑒于晶體管的壽命,這是必要的不過從性能上來看,鈷也不怎么樣長期以來,人們一直懷疑鈷是英特爾Intel 7的主要絆腳石之一

對于Intel 4,Intel還是在用鈷,只是現(xiàn)在他們用的不是純鈷,而是所謂的強(qiáng)化銅,也就是銅包鈷。

性能方面,據(jù)報道在0.65v V的等功率下,Intel 4的頻率比Intel7提高了21.5%,在0.85v及以上,等功率增益接近10%。

根據(jù)英特爾的說法,英特爾4在電源效率方面更有利可圖在相同頻率下,Intel 4的功耗降低了40%頻率越高,收入越低

來源: IT之家 編輯: 安靖

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