，據(jù) BusinessKorea 的報道，三星已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，即在今年 6 月前完成 11 納米的第六代 1c DRAM 芯片的開發(fā)據(jù)說該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過 1b DRAM 的開發(fā)，這是一種 12 納米芯片

此前有消息稱，三星已經(jīng)中斷了 12—13nm 工藝級別內(nèi)存研發(fā)，表示三星 13nm 級別的內(nèi)存被間接承認(rèn)失敗。

報道稱，三星希望擴(kuò)大與競爭對手的技術(shù)差距，這些競爭對手包括 SK 海力士和美光科技此外，這并不是三星第一次放棄 DRAM 的某些開發(fā)階段而向更高層次發(fā)展此前，三星放棄了 28 納米 DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn)，專注于生產(chǎn) 25 納米 DRAM

業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，對三星來說，生產(chǎn) 11 納米 DRAM 并不是一件容易的事，因為這需要先進(jìn)的技術(shù)可是，據(jù) BusinessKorea 報道，三星希望找到一種方法，該公司在 1c DRAM 完成之前面臨著巨大的開發(fā)壓力，因為其在 1a DRAM 的量產(chǎn)方面落后于其兩個競爭對手

本站了解到，內(nèi)存工藝在 20nm 節(jié)點之后就有不同斷代方法，之前用的是 1x，1y，1z，后來又有了 1a，1b，1c 工藝，不過三星，SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實際工藝也不完全是這樣，有時公布的還是數(shù)字 + nm 命名。近日，三星電子投入量產(chǎn)業(yè)界最小線寬14nmDRAM，共5層采用EUV技術(shù)，實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的晶圓密度。晶圓中的DRAM數(shù)量較前代增加約20%，大大降低了晶圓成本。。