在5月10日的發(fā)布會上，西部數(shù)據(jù)不僅發(fā)布了一系列新產(chǎn)品，還透露了其3D flash路線圖。

據(jù)西部數(shù)據(jù)稱，他們的下一代BiCS6是162層3D NAND，而西部數(shù)據(jù)剛剛發(fā)布的旗艦固態(tài)SN850X使用的是2020年生產(chǎn)的BiCS5 112層3D NAND。

BiCS6將帶來更快的I/O接口和更快的粒子帶寬，其QLC版本比TLC版本的芯片面積更小，存儲密度更高雖然西部數(shù)據(jù)的BiCS6 QLC粒子堆疊層數(shù)低于美光和SK海力士的176層QLC閃存，但存儲密度超過了他們

QLC粒子自誕生之日起就被網(wǎng)友稱為垃圾，因為它不僅書寫壽命短，而且書寫速度慢得離譜當消費者看到產(chǎn)品宣傳頁上寫著2000MB/s的寫入速度就興奮地把QLC硬盤買回家的時候，他們還不知道，這些硬盤緩慢的外部寫入速度其實只有每秒幾十MB，甚至比機械硬盤還要差

外部寫入速度慢是直接在存儲粒子上寫入數(shù)據(jù)的速度制造商通常通過添加SLC緩存，虛擬緩存和DRAM緩存來延遲這種情況但是，這些緩存的容量一般比硬盤的實際容量要小得多，特別是對于便宜的QLC固態(tài)硬盤

西部數(shù)據(jù)優(yōu)化了旗下QLC粒子的寫入速度，QLC版BiCS6的寫入速度達到60MB/s，是英特爾144層QLC的1.5倍，是自家96層BiCS4 QLC的6倍多雖然這個速度還是比TLC版的BiCS6慢了60%

使用BiCS6 3D NAND的TLC和QLC固態(tài)硬盤將于2022年底生產(chǎn)，其幻燈片上也提到了PLC顆粒，但官方并未公布更多相關信息。

本站了解到，西部數(shù)據(jù)還表示將為企業(yè)用戶開發(fā)200層以上的BiCS+閃存，以滿足數(shù)據(jù)中心對高容量和高性能的需求與BiCS6相比，BiCS+的存儲密度將提高55%，傳輸速度將提高60%，寫入速度也將提高15%

此外，西部數(shù)據(jù)還披露了一些正在開發(fā)的技術，比如將多個晶圓粘合，利用其他先進技術制造500層的3D NAND通過路線圖得知，這項技術預計在2032年到來